11月8日，廣晟控股集團控股的上市公司國星光電子公司風華芯電在封裝形式上取得新突破，成功開發(fā)出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。該模塊相對于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積減少30%，尺寸僅為6×7×0.45毫米，整體封裝結(jié)構(gòu)更緊湊、產(chǎn)品性能更出色，能夠為快充等消費電子行業(yè)市場應用提供更優(yōu)的技術解決方案。
▲扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊示意圖
強化技術創(chuàng)新
塑造競爭新優(yōu)勢
風華芯電此次推出的D-mode氮化鎵半橋模塊創(chuàng)新采用自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式，實現(xiàn)了在更狹小的空間內(nèi)完成更復雜的電氣互連、更短的互連線路。在推動模塊整體體積減少、布板尺寸縮減的同時，實現(xiàn)寄生電感、電阻更小，可充分發(fā)揮氮化鎵材料的高頻、高效率的特性，滿足消費電子行業(yè)市場產(chǎn)品小型化、集成化、高效能化的應用需求。
▲D-mode氮化鎵半橋模塊扇出面板級封裝布線結(jié)構(gòu)示意圖
持續(xù)推進“三優(yōu)”
賦能產(chǎn)品提質(zhì)增效
基于扇出面板級封裝形式，D-mode氮化鎵半橋模塊實現(xiàn)了“三優(yōu)”目標：
性能更優(yōu)：
為驗證模塊的體積和性能，風華芯電將該模塊應用于100W的開關電源中。該開關電源整體尺寸為60×50×27毫米，實驗得出模塊體積和布板面積有效減少，電源峰值效率可達到95%。
在熱管理方面，電源產(chǎn)品在環(huán)境溫度為25℃、密封空間內(nèi)老化電源1小時后的條件下，模塊位置最高溫度為78.9℃，整個電源最高溫度為86.4℃，模塊發(fā)熱量低且散熱快。
可靠性更優(yōu)
通過將該模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對比，開通速度提升了17.59%，開通損耗下降了10.7%。開關損耗的顯著降低，全面提升了產(chǎn)品的可靠性。
綜合成本更優(yōu)
在原材料方面，該模塊無需采用銅基板，有利于降低規(guī)模生產(chǎn)的封裝成本。同時得益于模塊性能的提升和散熱需求的降低，可減少控制系統(tǒng)熱設計的成本。
此外，該模塊可與Si MOSFET柵極驅(qū)動器兼容，驅(qū)動簡便，在保留氮化鎵材料最優(yōu)性能的同時，具備了最高Si MOSFET柵極的可靠性，可為客戶提供高性能、高可靠性和高性價比的解決方案。
▲D-mode氮化鎵半橋模塊適配多場景應用
持續(xù)優(yōu)化布局
加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力
風華芯電作為一家專業(yè)從事半導體分立器件、集成電路的研發(fā)、生產(chǎn)、封裝、測試和銷售的國家級高新技術企業(yè)，目前擁有20余條國際先進的半導體封裝測試自動化生產(chǎn)線，可生產(chǎn)包括TO、SOT、SOD、SOP、TSSOP 、QFN 、DFN等在內(nèi)的20多個封裝系列，產(chǎn)品品種數(shù)量超1000種，可滿足第三代半導體及先進封測市場多元化的應用需求。
下一步，國星光電及風華芯電將持續(xù)深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，推動半導體封測技術更新迭代，不斷提高核心競爭力，加快高質(zhì)量發(fā)展步伐。
撰稿：國星光電黃昌、翁雯靜
編輯：劉韻
編審：杜文光